ʻO nā koʻokoʻo hoʻomehana Silicon Carbide (SiC) he mau mea hoʻomehana uila hana kiʻekiʻe i hoʻolālā ʻia no nā umu wela kiʻekiʻe. Loaʻa iā lākou ke kūpaʻa oxidation maikaʻi loa, ke ola lawelawe lōʻihi, ka hana hoʻomehana wikiwiki, a me ke kūpaʻa uila paʻa i nā mahana kiʻekiʻe.
Hoʻohana nui ʻia nā mea hoʻomehana SiC i nā umu mālama wela, nā umu seramika, nā umu aniani, nā umu metallurgical, a me nā umu hoʻokolohua.
Ka mahana hana mau loa:a hiki i 1600°C(manawa pōkole a hiki i 1700°C)
Ke kūpaʻa paʻa a me ka pane hoʻomehana wikiwiki
ʻO ke kūpaʻa maikaʻi loa i ka oxidation a me ka corrosion
ʻO ke ola lawelawe lōʻihi a me ka hoʻololi maʻalahi
Nā ana a me ke kū'ē hiki ke hoʻopilikino ʻia
Kūpono no nā ʻano umu like ʻole
Nā umu lapaʻau wela ʻoihana
Nā umu keramika a me ke aniani
Nā umu hao
Nā umu hoʻoheheʻe
Nā umu wela kiʻekiʻe o ka hale hana
| Mea | Nā kikoʻī |
|---|---|
| Mea Hana | ʻO ke kalapona silika (SiC) |
| Mahana Hana Loa | 1600°C (Manawa pōkole 1700°C) |
| Anawaena | 8 – 54 mm |
| Ka Lōʻihi o ka ʻĀpana Wela | 100 – 1800 mm |
| Ka Lōʻihi o ka Wā Anu | Hoʻopilikino ʻia |
| Ke ahonui kū'ē | ±20% (hiki ke hoʻopilikino ʻia) |
| Nā Kino | ʻO ke koʻokoʻo pololei / ʻano U / ʻano W |
| Uila uila | Hoʻopilikino ʻia |
| MOQ | Hiki ke kūkākūkā ʻia |
Mea Hoʻomehana SiC ʻAno-U
Mea Hoʻomehana SiC ʻAno-W / Pālua Spiral
Kūlana kūlike me ka kaohi QC koʻikoʻi
Ke kūpaʻa paʻa no ka hoʻololi maʻalahi
Nā hoʻolālā i hana ʻia no nā ʻano umu like ʻole
Loaʻa ka hoʻouna wikiwiki a me ke kākoʻo loea
E ʻoluʻolu e hāʻawi mai i kēia mau ʻikepili no ke koho ʻana a me ka hōʻike ʻana:
ʻAno / kumu hoʻohālike o ka umu ahi
Mahana hana
Anawaena o ke koʻokoʻo
Ka lōʻihi o ka ʻāpana wela
Ke kū'ē i koi ʻia (Ω) a i ʻole ka mana
Ka nui
E ʻoluʻolu e kaʻana like i kāu mau palena umu a me nā ana i koi ʻia. E paipai mākou i ke koʻokoʻo hoʻomehana SiC kūpono loa no kāu noi.
150 0000 2421